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SiJ400DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
V GS = 10 V thru 4 V
10
56
42
2 8
14
V GS = 3 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0050
0.0046
0.0042
0.003 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 500
6 8 00
5100
3400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0034
0.0030
1700
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
V DS = 15 V
6
1. 8
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
V DS = 10 V
V DS = 20 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
0.9
2
0
0.6
0
21
42
63
8 4
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64986
S09-1094-Rev. A, 15-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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